Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD47T4G
Herstellerteilenummer | MJD47T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD47T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD47T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 250V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Leistung max | 1.56W |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD47T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD47T4G-FT |
BC857BWT1
ON Semiconductor
BC857CWT1
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BC858AWT1
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BC858BWT1
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MMBT2222AWT1
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MMBT2907AWT1
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MMBTA06WT1
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AX1000-FGG484
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A3P250-1PQ208I
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LFE2M70E-5FN1152I
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EP3C40U484I7
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5SGXEA5K2F40I3LN
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5SGXEA7H3F35I3L
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XC7VX485T-2FFG1158I
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
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EP4SGX290HF35C3
Intel