Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJE18006G
Herstellerteilenummer | MJE18006G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJE18006G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SWITCHMODE™ |
MJE18006G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 6A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 450V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 700mV @ 600mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 6 @ 3A, 1V |
Leistung max | 100W |
Frequenz - Übergang | 14MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE18006G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJE18006G-FT |
BD244CG
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XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel