Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJE180PWD
Herstellerteilenummer | MJE180PWD |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJE180PWD |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJE180PWD Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 1.5W |
Frequenz - Übergang | 50MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-225AA, TO-126-3 |
Supplier Device Package | TO-126 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE180PWD Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJE180PWD-FT |
KSA1156YSTSTU
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KSA1220AOS
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XC6SLX150T-3FGG676I
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XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
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5CGTFD5C5F27I7N
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10M50SCE144C7G
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5SGXEB6R3F43C4
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EP4S40G5H40I1N
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LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
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EP1S30F780C5
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