Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJE5852G
Herstellerteilenummer | MJE5852G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJE5852G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SWITCHMODE™ |
MJE5852G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 400V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 5V @ 3A, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V |
Leistung max | 80W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE5852G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJE5852G-FT |
TIP110G
ON Semiconductor
TIP42CG
ON Semiconductor
TIP32G
ON Semiconductor
MJE5731AG
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TIP111G
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TIP32BG
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BU406G
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BUL45D2G
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BDX33CG
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2N6040G
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel