Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJW21196G
Herstellerteilenummer | MJW21196G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJW21196G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJW21196G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 16A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 250V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 3.2A, 16A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 8A, 5V |
Leistung max | 200W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJW21196G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJW21196G-FT |
2SA1962-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
NJW21193G
ON Semiconductor
2SC5242-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1047
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FJA4213OTU
ON Semiconductor
2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5242RTU
ON Semiconductor
2STA1695
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2STA2510
STMicroelectronics
2STC2510
STMicroelectronics
EX64-TQG100A
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AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68A
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP4CE22E22C9LN
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5
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EP20K400EBC652-3AA
Intel