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Herstellerteilenummer | MLZ2012DR22DT000 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MLZ2012DR22DT000 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MLZ |
MLZ2012DR22DT000 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 220nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 900mA |
Strom - Sättigung | 800mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLZ2012DR22DT000 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MLZ2012DR22DT000-FT |
NLCV25T-3R3M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R10M-EFR
TDK Corporation
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel