Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MMBD2835LT1G
Herstellerteilenummer | MMBD2835LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBD2835LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBD2835LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 30V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD2835LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBD2835LT1G-FT |
MBR16100CT
ON Semiconductor
MBR20100CTG
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MBR2090CTLFAJG
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XC7S6-1FTGB196I
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AX250-1FG256I
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APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
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EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
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