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Herstellerteilenummer | MMBD4448HTW-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBD4448HTW-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBD4448HTW-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 250mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTW-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBD4448HTW-TP-FT |
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
BAW56T,115
NXP USA Inc.
BYV34G-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200,118
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200PLJ
WeEn Semiconductors
BAS40-04/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel