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Herstellerteilenummer | MMBD717LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBD717LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBD717LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 10V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD717LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBD717LT1G-FT |
BAS16DXV6T5
ON Semiconductor
BAS16DXV6T5G
ON Semiconductor
BAV70DXV6T1
ON Semiconductor
BAV70DXV6T1G
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NSDEMN11XV6T1
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NSDEMN11XV6T1G
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NSDEMP11XV6T1
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel