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Herstellerteilenummer | MMBFJ112 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBFJ112 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBFJ112 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 1V @ 1µA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Widerstand - RDS (Ein) | 50 Ohms |
Leistung max | 350mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBFJ112 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBFJ112-FT |
2N5639_D75Z
ON Semiconductor
BF246A_J35Z
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EP4CGX110DF27I7N
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EP4CGX110CF23C8
Intel
5SGXEA5N2F40I2LN
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC7VX1140T-2FLG1930C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
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EP2AGX95EF29C6
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EP1C4F324C7
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