Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3646
Herstellerteilenummer | MMBT3646 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT3646 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT3646 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3646 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT3646-FT |
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171,ONKQ(J
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EPF10K20TC144-4N
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XC4003E-4PQ100C
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A3P250-1PQG208
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EP4CE6F17C9L
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XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5FTG256C
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LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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