Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3906
Herstellerteilenummer | MMBT3906 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT3906 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT3906 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Leistung max | 350mW |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT3906-FT |
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2129,LS4ALPSQ(M
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2SD2257(CANO,A,Q)
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2SD2257(CANO,Q,M)
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2SD2257,NIKKIQ(J
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2SD23750P
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A54SX32A-FTQ144
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LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation