Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT4126-7-F
Herstellerteilenummer | MMBT4126-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT4126-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT4126-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT4126-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT4126-7-F-FT |
FMMT560TA
Diodes Incorporated
FMMT722TA
Diodes Incorporated
BC817-16-7-F
Diodes Incorporated
BC858A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT4124-7-F
Diodes Incorporated
FMMT497TA
Diodes Incorporated
BC817-25-7-F
Diodes Incorporated
FMMTA13TA
Diodes Incorporated
BC847C-7-F
Diodes Incorporated
DSS5160TQ-7
Diodes Incorporated
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel