Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBT5179
Herstellerteilenummer | MMBT5179 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT5179 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT5179 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 2GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
Gewinnen | 15dB |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5179 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT5179-FT |
BFP182WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP196WNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405H6740XTSA1
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BFP410H6327XTSA1
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BFP420H6433XTMA1
Infineon Technologies
BFP420H6740XTSA1
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BFP420H6801XTSA1
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BFP450H6327XTSA1
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BFP450H6433XTMA1
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BFP460H6327XTSA1
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A1415A-PQG100C
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A42MX36-2PQG240I
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A3PN250-VQG100I
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EP20K200CF672C7ES
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5AGXMA7D4F27C4N
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EP3SL150F1152C4
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EP3SL200F1152C4N
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EP4SGX530HH35C3NES
Intel
LFE2-6SE-7F256C
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LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation