Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5550LT1G
Herstellerteilenummer | MMBT5550LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT5550LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT5550LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 140V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5550LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT5550LT1G-FT |
BD242C
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LFE5U-12F-7BG381I
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
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EP1K30FC256-1N
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10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
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EP4SGX70HF35C4N
Intel