Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6427LT3G
Herstellerteilenummer | MMBT6427LT3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT6427LT3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT6427LT3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6427LT3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT6427LT3G-FT |
NSV40200LT1G
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NSV20200LT1G
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APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
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XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel