Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-4LT1G
Herstellerteilenummer | MMBTH10-4LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH10-4LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH10-4LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 800MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-4LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH10-4LT1G-FT |
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
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Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
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Intel
10M40DAF484I6G
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5AGXBA1D4F27I5
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5SGXMABK2H40C2N
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Lattice Semiconductor Corporation
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