Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-4LT1G
Herstellerteilenummer | MMBTH10-4LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH10-4LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH10-4LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 800MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-4LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH10-4LT1G-FT |
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
A54SX32A-1TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3L
Intel
5SEE9H40C2N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C4
Intel
EP20K100EQC240-2X
Intel