Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10-7
Herstellerteilenummer | MMBTH10-7 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH10-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH10-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 300mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH10-7-FT |
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
SD1444
Microsemi Corporation
2SC5006-A
CEL
2SC5006-T1-A
CEL
2SC5007-A
CEL
2SC5007-T1-A
CEL
2SC5008-A
CEL
XC7A15T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
5SGXEA4H2F35C3N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP4SGX230FF35C2XN
Intel