Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH81_F080
Herstellerteilenummer | MMBTH81_F080 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH81_F080 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH81_F080 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Frequenz - Übergang | 600MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH81_F080 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH81_F080-FT |
61070
Microsemi Corporation
61074
Microsemi Corporation
61110
Microsemi Corporation
61111
Microsemi Corporation
62012T
Microsemi Corporation
62028
Microsemi Corporation
62089
Microsemi Corporation
62090
Microsemi Corporation
62091
Microsemi Corporation
62144
Microsemi Corporation
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel