Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / MMBZ5226B-G3-18
Herstellerteilenummer | MMBZ5226B-G3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBZ5226B-G3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5226B-G3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 225mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 28 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5226B-G3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBZ5226B-G3-18-FT |
MMBZ4704-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4704-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4704-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4704-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4704-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4704-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4705-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.