Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / MMDT4146-7-F
Herstellerteilenummer | MMDT4146-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMDT4146-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMDT4146-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN, PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 300MHz, 250MHz |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT4146-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMDT4146-7-F-FT |
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
Intel
EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel