Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / MOX-4N-131007JE
Herstellerteilenummer | MOX-4N-131007JE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MOX-4N-131007JE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Maxi-Mox |
MOX-4N-131007JE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 1 GOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 5W |
Zusammensetzung | Thick Film |
Eigenschaften | High Voltage, Non-Inductive |
Temperaturkoeffizient | ±50ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 210°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.345" Dia x 4.140" L (8.76mm x 105.16mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-4N-131007JE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MOX-4N-131007JE-FT |
OA271KE
Ohmite
OA270K
Ohmite
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
OA224KE
Ohmite
OA223K
Ohmite
OA223KE
Ohmite
OA222KE
Ohmite
OA221K
Ohmite
XC2S100-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672I8N
Intel
A40MX04-1PLG44M
Microsemi Corporation
XC7K160T-1FBG484I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP20K400CB652C9ES
Intel