Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MPS6601G
Herstellerteilenummer | MPS6601G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MPS6601G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MPS6601G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPS6601G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MPS6601G-FT |
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