Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MPSH17G
Herstellerteilenummer | MPSH17G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MPSH17G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MPSH17G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 800MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 200MHz |
Gewinnen | 24dB |
Leistung max | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 25 @ 5mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MPSH17G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MPSH17G-FT |
CPH6003A-TL-E
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CPH6001A-TL-E
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KSC1674YBU
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BF199
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XCV50-4TQ144C
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XC3S1600E-4FGG320C
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EP2C20AF484I8N
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5SGXEB9R3H43C4N
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XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100I
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APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256I
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EP3C25F324C6N
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