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Herstellerteilenummer | MR25H10CDF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MR25H10CDF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MR25H10CDF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | RAM |
Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | 40MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-VDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10CDF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MR25H10CDF-FT |
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG
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W25Q16DWZPIG TR
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W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel