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Herstellerteilenummer | MR25H10MDC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MR25H10MDC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | RAM |
Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | 40MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-TDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MR25H10MDC-FT |
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF
Winbond Electronics
W25Q256FVEIF TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG
Winbond Electronics
W25Q256FVEIG TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIP
Winbond Electronics
W25Q256FVEIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVEIQ
Winbond Electronics
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel