Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812GR1
Herstellerteilenummer | MRF5812GR1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF5812GR1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF5812GR1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
Leistung max | 1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812GR1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF5812GR1-FT |
KSC2757RMTF
ON Semiconductor
KSC2757YMTF
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KSC3123OMTF
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A1425A-PQG100C
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A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel