Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812GR1
Herstellerteilenummer | MRF5812GR1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF5812GR1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF5812GR1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
Leistung max | 1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812GR1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF5812GR1-FT |
KSC2757RMTF
ON Semiconductor
KSC2757YMTF
ON Semiconductor
KSC3123OMTF
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KSC3123RMTF
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KSC3123YMTF
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KST5179MTF
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MMBT5770
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MMBT918
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MMBT918LT1
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MMBTH10
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XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
APA600-CQ208B
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100A
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2X
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5SGXMA3E3H29C4N
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
10AX090H4F34I3LG
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