Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812GR2
Herstellerteilenummer | MRF5812GR2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF5812GR2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF5812GR2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
Leistung max | 1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812GR2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF5812GR2-FT |
KSC2757YMTF
ON Semiconductor
KSC3123OMTF
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MMBTH10
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MMBTH10LT1
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XC6SLX100T-3CSG484C
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XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
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M2GL090TS-FCSG325I
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M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
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10AX027E2F27E2LG
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LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation