Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812G
Herstellerteilenummer | MRF5812G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF5812G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF5812G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
Leistung max | 1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF5812G-FT |
KSC2757OMTF
ON Semiconductor
KSC2757RMTF
ON Semiconductor
KSC2757YMTF
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KSC3123OMTF
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KSC3123RMTF
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KSC3123YMTF
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KST5179MTF
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MMBT5770
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MMBT918LT1
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A1415A-PQG100M
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XC2S100-6FG256C
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A3P1000-1FG484
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EP1SGX25CF672C6N
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5SGXEA5K2F40I3N
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5SGXEB5R3F43I3L
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40B956C5
Intel