Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812
Herstellerteilenummer | MRF5812 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF5812 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF5812 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
Leistung max | 1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF5812-FT |
KSC2756YMTF
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5SGXEB6R2F40C3
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XC2VP30-6FF896I
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XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184I
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LFE3-70EA-8LFN672C
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EP4SGX290FF35C3N
Intel