Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF8372R1
Herstellerteilenummer | MRF8372R1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF8372R1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF8372R1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 16V |
Frequenz - Übergang | 870MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 8dB ~ 9.5dB |
Leistung max | 2.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF8372R1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF8372R1-FT |
MMBT918
ON Semiconductor
MMBT918LT1
ON Semiconductor
MMBTH10
ON Semiconductor
MMBTH10LT1
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MMBTH24
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MMBTH34
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MMBTH81_D87Z
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NE68033-A
CEL
NE68033-T1B-A
CEL
NE68033-T1B-R44-A
CEL
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
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M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
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EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
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10AX027E2F27E2LG
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LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation