Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MRF8372R2
Herstellerteilenummer | MRF8372R2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MRF8372R2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MRF8372R2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 16V |
Frequenz - Übergang | 870MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 8dB ~ 9.5dB |
Leistung max | 2.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF8372R2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MRF8372R2-FT |
MMBT918LT1
ON Semiconductor
MMBTH10
ON Semiconductor
MMBTH10LT1
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MMBTH24
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MMBTH34
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MMBTH81_D87Z
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NE68033-A
CEL
NE68033-T1B-A
CEL
NE68033-T1B-R44-A
CEL
NE68033-T1B-R45-A
CEL
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
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AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
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5SGXEA9K3H40I3LN
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5SGXEA7H1F35C2N
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5SGXMA5K2F35I2N
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5CEBA5U19C8N
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