Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MS109E3/TR12
Herstellerteilenummer | MS109E3/TR12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MS109E3/TR12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MS109E3/TR12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS109E3/TR12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MS109E3/TR12-FT |
1N5711-1
Microsemi Corporation
1N4150-1
Microsemi Corporation
1N5712
Microsemi Corporation
1N3595-1
Microsemi Corporation
1N3600
Microsemi Corporation
1N4446
Microsemi Corporation
1N4154
Microsemi Corporation
1N4151
Microsemi Corporation
1N4449
Microsemi Corporation
1N4454-1
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel