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Herstellerteilenummer | MSAD200-12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSAD200-12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MSAD200-12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 300A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 9mA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | D2 |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD200-12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSAD200-12-FT |
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
MBRD660CTT4H
ON Semiconductor
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBRF10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel