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Herstellerteilenummer | MSAD200-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSAD200-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MSAD200-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 300A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 9mA @ 1800V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | D2 |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD200-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSAD200-18-FT |
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
MBRD660CTT4H
ON Semiconductor
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBRF10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel