Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MSB710-RT1G
Herstellerteilenummer | MSB710-RT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSB710-RT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MSB710-RT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SC-59 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSB710-RT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSB710-RT1G-FT |
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