Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MSC1175M
Herstellerteilenummer | MSC1175M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSC1175M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MSC1175M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V |
Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 8dB |
Leistung max | 400W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 15 @ 1A, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 12A |
Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | M218 |
Supplier Device Package | M218 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSC1175M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSC1175M-FT |
MRF559
Microsemi Corporation
MRF559GT
Microsemi Corporation
MRF559T
Microsemi Corporation
MRF5812M
Microsemi Corporation
MRF5812MR1
Microsemi Corporation
MRF5812MR2
Microsemi Corporation
MRF8372MR1
Microsemi Corporation
MRFC544
Microsemi Corporation
MRFC545
Microsemi Corporation
MS1001
Microsemi Corporation
XC3S500E-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C8N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel