Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / MSDM50-12
Herstellerteilenummer | MSDM50-12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSDM50-12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MSDM50-12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 50A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 150A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 300µA @ 1200V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | M2-1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSDM50-12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSDM50-12-FT |
KBPM310G
GeneSiC Semiconductor
KBU1001G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1002G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1003G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1004G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1005G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1006G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU1007G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU402G T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel