Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MSMBJ170AE3/TR
Herstellerteilenummer | MSMBJ170AE3/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MSMBJ170AE3/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ170AE3/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 170V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 189V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 275V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 2.2A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMBJ (DO-214AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ170AE3/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSMBJ170AE3/TR-FT |
VESD08C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MASMLG8.0CAE3
Microsemi Corporation
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel