Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MSMBJ18AE3
Herstellerteilenummer | MSMBJ18AE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MSMBJ18AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ18AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 20V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 29.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 20.5A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMBJ (DO-214AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ18AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSMBJ18AE3-FT |
MASMBJ54CA
Microsemi Corporation
MASMBJ54CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ58A
Microsemi Corporation
MASMBJ58AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ58CA
Microsemi Corporation
MASMBJ58CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0A
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5A
Microsemi Corporation
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel