Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MSMBJ30AE3
Herstellerteilenummer | MSMBJ30AE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MSMBJ30AE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ30AE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 30V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 33.3V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 48.4V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 12.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | SMBJ (DO-214AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ30AE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MSMBJ30AE3-FT |
SMBJ48A-TP
Micro Commercial Co
SMBJ48AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ48CA-TP
Micro Commercial Co
SMBJ48CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ48CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ48E3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ5.0AE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ5.0CAE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ5.0CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMBJ5.0E3/TR13
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel