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Herstellerteilenummer | MT29E1T08CUCCBH8-6:C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29E1T08CUCCBH8-6:C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29E1T08CUCCBH8-6:C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 1Tb (128G x 8) |
Taktfrequenz | 167MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E1T08CUCCBH8-6:C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29E1T08CUCCBH8-6:C-FT |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel