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Herstellerteilenummer | MT29E2T08CUHBBM4-3:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29E2T08CUHBBM4-3:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 2Tb (256G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29E2T08CUHBBM4-3:B-FT |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25080DWHFT3G
ON Semiconductor
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation