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Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

Name: MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Availability: InStock
Rating: 4.7 (112 reviews)

MFG-Teilenummer: MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

verfügbare Anzahl: 22660 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR.pdf

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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Zukünftige Teilenummer	FT-MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND
Speichergröße	2Tb (256G x 8)
Taktfrequenz	333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	-
Paket / fall	-
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR-FT

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