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Herstellerteilenummer | MT29E6T08ETHBBM5-3:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29E6T08ETHBBM5-3:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29E6T08ETHBBM5-3:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 6Tb (768G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E6T08ETHBBM5-3:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29E6T08ETHBBM5-3:B-FT |
AT28C256F-15LM/883-815
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MP
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MPTG
Microchip Technology
AT88SC0204CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0204CA-MJTG
Microchip Technology
AT88SC0204CA-MP
Microchip Technology
AT88SC0204CA-MPTG
Microchip Technology
AT88SC0404C-MJ
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AT88SC0404C-MJTG
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AT88SC0404CA-MJ
Microchip Technology
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
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EP2AGZ300FF35I4N
Intel