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Herstellerteilenummer | MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 2Tb (256G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A-FT |
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel