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Herstellerteilenummer | MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F-FT |
MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCBBG6-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel