Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Herstellerteilenummer | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B-FT |
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel