Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Herstellerteilenummer | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR-FT |
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel