Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
Herstellerteilenummer | MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR-FT |
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel